ADR43x是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。

ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有版本的额定工作范围均为扩展工业温度范围−40°C至+125°C。

ADR435-EP支持军工和航空航天应用（AQEC标准）

应用

精密数据采集系统

高分辨率数据转换器

医疗仪器

工业过程控制系统

光学控制电路

精密仪器

低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 µV p-p（2.5 V输出）

无需外部电容

低温度系数 A级： 10 ppm/℃（最大值） B级： 3 ppm/℃（最大值）

负载调整率： 15 ppm/mA

线性调整率： 20 ppm/V

宽工作电压范围： ADR430： 4.1 V至18 V ADR431： 4.5 V至18 V ADR433： 5.0 V至18 V ADR434： 6.1 V至18 V ADR435： 7.0 V至18 V

高输出源电流和吸电流： +30 mA和-20 mA

宽工作温度范围： -40 ℃至+125 ℃

ADR435-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）

下载 ADR435-EP数据手册 (pdf)

军用温度范围（−55 ℃至+125 ℃）

受控制造基线

唯一封装/测试厂

唯一制造厂

增强型产品变更通知

认证数据可应要求提供

• AD7676 - 500 kSPS、CMOS、16位PulSAR® ADC，INL最大值为1 LSB
• HMC326 - InGaP HBT驱动器放大器SMT，3.0 - 4.5 GHz
• REF191 - 2.048V、精密、微功耗、低压差、低压基准电压源
• AD976A - 16位、200 kSPS、并行I/O ADC
• ADUM140D - 带输入禁用和0个反向通道的鲁棒、四通道隔离器
• ADUM3442 - 四通道、高速数字隔离器
• HMC565-Die - Low Noise Amplifier Chip, 6 - 20 GHz
• HMC415 - InGaP HBT功率放大器SMT，4.9 - 5.9 GHz
• HMC-SDD112 - SPDT，反射开关芯片，55 - 86 GHz
• ADL5904 - 提供包络阈值检测功能的DC至6 GHz、45 dB TruPwr™检波器