ADR43x是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。

ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有版本的额定工作范围均为扩展工业温度范围−40°C至+125°C。

ADR435-EP支持军工和航空航天应用（AQEC标准）

应用

精密数据采集系统

高分辨率数据转换器

医疗仪器

工业过程控制系统

光学控制电路

精密仪器

低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 µV p-p（2.5 V输出）

无需外部电容

低温度系数 A级： 10 ppm/℃（最大值） B级： 3 ppm/℃（最大值）

负载调整率： 15 ppm/mA

线性调整率： 20 ppm/V

宽工作电压范围： ADR430： 4.1 V至18 V ADR431： 4.5 V至18 V ADR433： 5.0 V至18 V ADR434： 6.1 V至18 V ADR435： 7.0 V至18 V

高输出源电流和吸电流： +30 mA和-20 mA

宽工作温度范围： -40 ℃至+125 ℃

ADR435-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）

下载 ADR435-EP数据手册 (pdf)

军用温度范围（−55 ℃至+125 ℃）

受控制造基线

唯一封装/测试厂

唯一制造厂

增强型产品变更通知

认证数据可应要求提供

• ADA4940-1 - 超低功耗、低失真ADC驱动器
• ADA4177-4 - 提供OVP和EMI保护的精密、低噪声、低偏置电流运算放大器
• AD9956 - 基于400 MSPS、14位DAC、48位FTW、1.8 V CMOS DDS的AgileRF?频率合成器
• AD8036 - 单位增益稳定低失真、宽带宽、电压反馈型箝位放大器
• HMC833 - 集成VCO的小数N分频PLL，25 - 6000 MHz
• ADM2485 - 2.5 kV信号隔离、高速(16 Mbps)、半双工RS-485收发器，内置变压器驱动器
• AD7893 - 真双极性输入、单电源、12位、串行6 μs ADC，采用8引脚封装
• ADP3634 - 高速、双路、4A MOSFET驱动器，集成热保护功能
• AD8219 - 零漂移单向分流监控器
• ADUM1245 - 微功耗双通道数字隔离器，默认低电平（2/0通道方向性）