ADR43x是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。

ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

ADR431-EP支持军工和航空航天应用（AQEC标准）

应用

精密数据采集系统

高分辨率数据转换器

医疗仪器

工业过程控制系统

光学控制电路

精密仪器

低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 µV p-p（2.5 V输出）

无需外部电容

低温度系数 A级： 10 ppm/℃（最大值） B级： 3 ppm/℃（最大值）

负载调整率： 15 ppm/mA

线性调整率： 20 ppm/V

宽工作电压范围： ADR430： 4.1 V至18 V ADR431： 4.5 V至18 V ADR433： 5.0 V至18 V ADR434： 6.1 V至18 V ADR435： 7.0 V至18 V

高输出源电流和吸电流： +30 mA和-20 mA

宽工作温度范围： -40 ℃至+125 ℃

ADR431-EP支持军工和航空航天应用（AQEC标准）

下载ADR431-EP数据手册 (pdf)

军用温度范围（−55 ℃至+125 ℃）

受控制造基线

唯一封装/测试厂

唯一制造厂

增强型产品变更通知

认证数据可应要求提供

• AD8091 - 低成本、高速、轨到轨放大器(单路)
• HMC633LC4 - 驱动放大器，采用SMT封装，5.5 - 17 GHz
• AD8202 - 高共模电压，单电源差分放大器
• ADD8710 - 10通道伽玛缓冲器，内置VCOM 驱动器
• HMC-ALH311 - 低噪声放大器芯片，22 - 26.5 GHz
• AD8532 - 250 MA输出、双通道、低成本、单电源运算放大器
• ADRF6510 - 30 MHz 双通道可编程滤波器和可变增益放大器
• ADN4663 - 双通道、3 V、CMOS、LVDS、高速差分驱动器
• HMC772 - Low Noise Amplifier SMT, 2 - 12 GHz
• ADM8615 - 具有看门狗定时器、手动复位功能和低电平阈值电压的超低功耗电压监控器