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HMC717ALP3E

  • 制造厂商:AD公司(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:16-QFN(3x3)
  • 技术参数:IC RF AMP LTE 4.8GHZ-6GHZ 16QFN
  • (专注销售AD电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

HMC717ALP3E参数详情:

在追求极致无线性能的今天,您是否还在为高频段信号链的增益与噪声难以兼得而烦恼?想象一下,一个覆盖4.8GHz至6GHz的广阔频段,既能提供高达14.5dB的清晰增益,又能将噪声系数压低至惊人的1.1dB这并非遥不可及的技术幻想,而是HMC717ALP3E为您带来的现实解决方案。这款来自ADI的射频放大器,专为挑战高频极限而生,其18dBm的输出1dB压缩点确保了强大的信号驱动能力,让您的系统在LTE、WiMax等严苛应用中始终游刃有余。

无论是构建下一代5G基站的前端、部署高密度城市Wi-Fi网络,还是开发点对点微波回传设备,HMC717ALP3E都能成为您系统中那颗可靠的心脏。它卓越的线性度和低噪声特性,意味着您的接收链路可以捕捉到更微弱、更纯净的信号,从而显著提升系统灵敏度和通信距离;而在发射链路中,其出色的增益和输出功率则为信号覆盖提供了坚实保障。面对日益复杂的电磁环境和不断攀升的数据速率要求,这颗芯片就是您提升产品竞争力的秘密武器。

选择HMC717ALP3E,不仅仅是选择了一颗高性能的射频放大器,更是选择了一种高效、可靠的设计哲学。它仅需3V单电源供电,工作电流低至68mA,在提供顶级射频性能的同时,也兼顾了系统的功耗与散热设计。其紧凑的16引脚QFN表面贴装封装,极大节省了宝贵的PCB空间,让您的布局布线更加灵活。为了确保您能获得原厂品质的正品芯片与完善的技术支持,我们强烈建议您通过官方ADI授权代理进行采购。让HMC717ALP3E为您的无线梦想注入澎湃动力,共同开启高频通信的新篇章。

  • 型号:HMC717ALP3E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-QFN(3x3)
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC RF AMP LTE 4.8GHZ-6GHZ 16QFN
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:在售
  • 频率:4.8GHz ~ 6GHz
  • P1dB:18dBm
  • 增益:14.5dB
  • 噪声系数:1.1dB
  • 射频类型:LTE,WiMax
  • 电压 - 供电:3V
  • 电流 - 供电:68mA
  • 测试频率:4.8GHz ~ 6GHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:16-QFN(3x3)
  • HMC717ALP3E的官网价格:1:$17.87000,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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