ADR43x是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。

ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

ADR434-EP支持军工和航空航天应用（AQEC标准）

应用

精密数据采集系统

高分辨率数据转换器

医疗仪器

工业过程控制系统

光学控制电

精密仪器

低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 µV p-p（2.5 V输出）

无需外部电容

低温度系数 A级： 10 ppm/℃（最大值） B级： 3 ppm/℃（最大值）

负载调整率： 15 ppm/mA

线性调整率： 20 ppm/V

欲了解更多特性，请参考数据手册

ADR434-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）

下载 ADR434-EP数据手册 (pdf)

军用温度范围（−55 ℃至+125 ℃）

受控制造基线

唯一封装/测试厂

唯一制造厂

增强型产品变更通知

认证数据可应要求提供

• AD7845 - 完整12位CMOS乘法DAC
• AD80066 - 完整的16位CCD/CIS信号处理器
• AD8146 - 用于宽带视频的三路差分驱动器
• AD5641 - 2.7 V至5.5 V、小于100 μA、14位nanoDAC，SPI接口，采用LFCSP和SC70封装
• ADA4692-2 - 低功耗、宽带、低噪声、轨到轨输出、双通道运算放大器
• HMC842 - 提供可编程输出电压的45 Gbps扇出缓冲器
• ADM1171 - 2.7 V至16 V热插拔控制器，具有电流检测输出
• HMC530 - 采用SMT封装的VCO，具有Fo/2，提供4分频，9.5 - 10.8 GHz
• ADF4154 - 小数N分频频率合成器
• AD8591 - 单路、CMOS单电源轨到轨输入/输出运算放大器，具有±250 mA输出电流和省电关断模式