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    LTC4446EMS8E#PBF
  • 制造厂商：AD公司（Analog Devices，亚德诺半导体）
  • 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
  • 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：LTC4446EMS8E#PBF
  • 制造商：AD公司（Analog Devices，亚德诺半导体）
  • 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
  • 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装：管件
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 驱动配置：半桥
  • 通道类型：独立式
  • 驱动器数：2
  • 栅极类型：N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电：7.2V ~ 13.5V
  • 逻辑电压?-VIL，VIH：1.85V，3.25V
  • 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，3A
  • 输入类型：非反相
  • 高压侧电压-最大值（自举）：114V
  • 上升/下降时间（典型值）：8ns，5ns
  • 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
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