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LTC1982ES6#TRM供应商

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LTC1982ES6#TRM

制造厂商：AD公司（Analog Devices，亚德诺半导体）

类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：SOT-23-6

技术参数：IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

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参数详情：

制造商产品型号：LTC1982ES6#TRM

制造商：AD公司（Analog Devices，亚德诺半导体）

描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器

包装：剪切带（CT）

系列：-

零件状态：最後搶購

驱动配置：高端

通道类型：独立式

驱动器数：2

栅极类型：N 沟道 MOSFET

电压-供电：1.8V ~ 5.5V

逻辑电压?-VIL，VIH：0.6V，1.4V

电流-峰值输出（灌入，拉出）：-

输入类型：反相

高压侧电压-最大值（自举）：-

上升/下降时间（典型值）：-

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

安装类型：表面贴装型

产品封装：SOT-23-6

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